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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种DMOS器件及其形成方法，该器件包括：衬底，其上形成有栅绝缘介质层；栅极，其形成于栅绝缘介质层上；栅极两侧的衬底中形成有轻掺杂漏区，轻掺杂漏区中形成有重掺杂区，轻掺杂漏区之间的衬底中形成有口袋注入区，口袋注入区与轻掺杂漏区接触，沿衬底的厚度的方向，口袋注入区的横向宽度从上至下越来越宽。本申请通过在DMOS器件的轻掺杂漏区之间的衬底中形成口袋注入区，该口袋注入区沿衬底的厚度的方向，其横向宽度从上至下越来越宽，从而在衬底表面形成一个更加缓变的结，从而能够减弱器件内的碰撞电离强度，提高了该器件的击穿电压，同时降低了器件的关态漏电流，提高了器件的电学性能。
主权项：1.一种DMOS器件，其特征在于，所述DMOS器件为开关管DMOS器件，包括：衬底，所述衬底上形成有栅绝缘介质层，所述衬底从下至上依次包括背面衬底、埋层氧化层和顶层硅；栅极，所述栅极形成于所述栅绝缘介质层上；所述栅极两侧的衬底中形成有轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区中形成有重掺杂区，所述轻掺杂漏区之间的衬底中形成有口袋注入区，所述轻掺杂漏区、所述重掺杂区和所述口袋注入区形成于所述顶层硅中，所述口袋注入区与所述轻掺杂漏区接触，沿所述衬底的厚度的方向，所述口袋注入区的横向宽度从上至下越来越宽，所述口袋注入区包覆所述轻掺杂漏区在所述顶层硅的上表面和所述埋层氧化层的上表面之间的表面，所述口袋注入区和所述轻掺杂漏区的注入深度相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 DMOS器件及其形成方法
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