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第三层叠体、第四层叠体及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体 

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申请/专利权人:琳得科株式会社

摘要:本发明涉及一种第三层叠体19的制造方法,其中,工件14的一个面为电路面14a,另一个面为背面14b,背面保护膜形成用膜13的一个面为平滑面13b,另一个面为比平滑面13b粗糙的粗糙面13a,所述制造方法依次包括:将背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a朝向工件14的背面14b进行贴附的第一层叠工序;及在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上贴附支撑片10的第二层叠工序。

主权项:1.一种第三层叠体的制造方法,其为依次层叠有工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体的制造方法,其中,所述工件的一个面为电路面,另一个面为背面,所述背面保护膜形成用膜的一个面为平滑面,另一个面为比所述平滑面粗糙的粗糙面,所述制造方法依次包括:将加工成所述工件的形状的背面保护膜形成用膜的所述粗糙面朝向所述工件的所述背面进行贴附的第一层叠工序;以及在所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面上贴附所述支撑片的第二层叠工序,其中,加工成所述工件的形状的背面保护膜形成用膜在即将进行所述第一层叠工序之前在同一装置内加工成所述工件的形状。

全文数据:

权利要求:

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