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晶格缺陷显像方法 

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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

摘要:本发明实施例提供一种晶格缺陷显像方法,包括:通过第一机台检测晶圆中晶格缺陷的坐标地址;通过第二机台以第一视场角拍摄所述晶圆中所述坐标地址表征的位置,以获取坐标图像;判断所述坐标图像内是否包含表征特定晶格缺陷的图示,若否,通过所述第二机台拍摄所述晶圆中所述坐标地址的周边区域,以获取周边图像;判断所述周边图像内是否包含表征所述特定晶格缺陷的图示,若是,通过所述第二机台以第二视场角拍摄所述特定晶格缺陷的图示表征的晶圆位置,所述第二视场角小于所述第一视场角。本发明实施例有利于提高特定晶格缺陷的显像成功率。

主权项:1.一种晶格缺陷显像方法,其特征在于,包括:通过第一机台获取晶圆中晶格缺陷的坐标地址;通过第二机台以第一视场角拍摄所述晶圆中所述坐标地址表征的位置,以获取坐标图像;判断所述坐标图像内是否包含表征特定晶格缺陷的图示,若是,通过所述第二机台以第二视场角拍摄所述特定晶格缺陷;若否,通过所述第二机台拍摄所述晶圆中所述坐标地址的周边区域,以获取周边图像;其中,所述特定晶格缺陷为可能会对电路性能造成影响的晶格缺陷,所述第二视场角小于所述第一视场角;判断所述周边图像内是否包含表征所述特定晶格缺陷的图示,若是,通过所述第二机台以所述第二视场角拍摄所述特定晶格缺陷;若否,通过所述第二机台以所述第二视场角拍摄所述坐标图像表征的坐标区域中的随机位置。

全文数据:

权利要求:

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