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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：碳化硅场效应晶体管。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，位于所述沟槽处，从所述碳化硅漂移层的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；所述NP区的深度小于沟槽的深度；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；欧姆接触金属层，设置在沟槽内，并与隔离层的侧部相连；本实用新型可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。
主权项：1.碳化硅场效应晶体管，包括从下而上依次设置的碳化硅衬底（1）和碳化硅漂移层（2），所述碳化硅漂移层（2）的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽（3）；其特征在于，还包括：PW区（4），位于所述沟槽（3）处；NP区（5），位于所述沟槽（3）处，从所述碳化硅漂移层（2）的顶部向下延伸，包裹于所述PW区（4）内；所述NP区（5）的深度小于沟槽（3）的深度；PP区（6），设置在所述沟槽（3）处，位于所述NP区（5）的下方；栅氧层（7），设置在相邻沟槽（3）之间，位于所述碳化硅漂移层（2）的顶面；Poly层（8），设置在所述栅氧层（7）的顶面；隔离层（9），设置在所述Poly层（8）上，并从侧部向下延伸至NP区（5）；欧姆接触金属层（10），设置在沟槽（3）内，并与隔离层（9）的侧部相连；正面金属（11），设置在隔离层（9）和欧姆接触金属层（10）上。
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