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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明公开了一种改善Cu丘状突起缺陷的方法，包括：提供形成有Cu层的基片。进行预处理，预处理的工艺气体采用NH3，在预处理中，NH3分解形成的H离子将所述Cu层表面的氧化铜还原为Cu；NH3分解形成的N离子对Cu层的表面区域的Cu进行氮化形成氮化铜。进行氮化硅薄膜的沉积工艺，沉积工艺中，利用氮化铜的黏附性压制在热过程的作用下产生的Cu在晶界间的扩散，从而减少Cu丘状突起缺陷。本发明能减少Cu丘状突起缺陷，从而改善器件如MIM电容的性能。
主权项：1.一种改善Cu丘状突起缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供形成有Cu层的基片；进行预处理，所述预处理的工艺气体采用NH3，在所述预处理中，NH3分解形成的H离子将所述Cu层表面的氧化铜还原为Cu；NH3分解形成的N离子对所述Cu层的表面区域的Cu进行氮化形成氮化铜；进行氮化硅薄膜的沉积工艺，在所述氮化硅薄膜的沉积工艺中，利用氮化铜的黏附性压制在热过程的作用下产生的Cu在晶界间的扩散，从而减少Cu丘状突起缺陷。
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权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 改善Cu丘状突起缺陷的方法
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