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申请/专利权人：南京原磊纳米材料有限公司

摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，具体公开了一种多片式防饶度自动取放腔机构，包括：反应腔组，反应腔组包括反应腔外箱体，载具组包括若干组载具盘，载具组的一侧设置有机械爪组；还包括提升驱动组，提升驱动组包括驱动器和提升杆；本发明通过设置的提升驱动组的提升杆上下运动和机械爪组自动抓取基体材料相互配合，能够实现自动放置和拿取基体材料的效果，时间短，效率高；通过设置的遮挡组件能够对提升通孔进行遮挡，避免提升通孔暴漏导致原子沉积反应时基体材料底面靠近提升通孔的位置有原子沉积附着；通过设置的驱动件，能够带动辅助限位挡杆进行移动，便于基体材料准确移动至放置槽的内部，有利于原子沉积反应使用。

主权项：1.一种多片式防饶度自动取放腔机构，其特征在于，包括：反应腔组（10），所述反应腔组（10）包括反应腔外箱体（11），所述反应腔外箱体（11）的内部设有加热器，所述反应腔外箱体（11）的一侧开设有进口，所述反应腔外箱体（11）的另一侧通过导向驱动组（30）连接有反应腔外箱门（12），所述反应腔外箱门（12）靠近所述反应腔外箱体（11）的一侧设置有载具组（20），所述载具组（20）包括若干组载具盘（21），若干组所述载具盘（21）连接在所述反应腔外箱门（12）的一侧，若干组所述载具盘（21）的上端均开设有用于放置基体材料的放置槽，所述载具组（20）的一侧设置有机械爪组，能够抓取基体材料并将其放置于提升杆（41）上端；还包括提升驱动组（40），所述提升驱动组（40）位于所述载具组（20）的下方，所述提升驱动组（40）包括驱动器和提升杆（41），所述驱动器的输出端连接有所述提升杆（41），所述载具盘（21）上开设有与所述提升杆（41）相配合的提升通孔（22）；所述反应腔外箱体（11）的内部设有内腔体，所述内腔体的内部设置有隔热屏，所述隔热屏采用隔热陶瓷制成；相邻两组所述载具盘（21）之间的间距相等，所述提升通孔（22）设置为四组，每两组分别位于所述载具盘（21）的前后两侧，所述提升通孔（22）的一部分贯穿所述放置槽；所述提升杆（41）的上端靠近所述放置槽的一侧开设有凹槽，所述凹槽的一面设置为直面，所述凹槽的直面与所述放置槽的边沿处于同一竖直面；所述导向驱动组（30）包括驱动元件（31）和导向轴（32），所述反应腔外箱体（11）靠近所述反应腔外箱门（12）一侧的边角位置均安装有所述驱动元件（31），所述驱动元件（31）的输出端连接有所述导向轴（32），所述导向轴（32）的一端与所述反应腔外箱门（12）的边角位置连接；所述提升通孔（22）的内部设置有遮挡组件（23）,所述遮挡组件（23）包括连接座（24）和莲花挡片（25），所述提升通孔（22）的内部通过螺栓安装有所述连接座（24），所述连接座（24）的内部开设有通孔，所述连接座（24）的上端设置有若干组所述莲花挡片（25），若干组所述莲花挡片（25）以所述提升通孔（22）的中轴线为圆心成阵列设置，若干组所述莲花挡片（25）均具有形变能力，若干组所述莲花挡片（25）的顶端均与所述提升通孔（22）的顶端齐平。

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