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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本实用新型生长在GaAs115A衬底上的多层InGaAs量子点层，由下至上依次包括GaAs115A衬底、InGaAs量子点层、InGaP缓冲层、GaAs盖层、第二层InGaAs量子点，重复上述步骤生长五层InGaAs量子点。本实用新型的生长在GaAs115A衬底上的多层InGaAs量子点层，通过在不同层量子点中间引入InGaP缓冲层，可以有效降低量子点中的应力，减少量子点中缺陷，极大地提高量子点的晶体质量。
主权项：1.生长在GaAs115A衬底上的多层InGaAs量子点层，其特征在于，由下至上依次包括GaAs115A衬底、InGaAs量子点层、InGaP缓冲层、GaAs盖层和InGaAs量子点层，且InGaAs量子点层重复2-20个生长周期。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 生长在GaAs(115)A衬底上的多层InGaAs量子点层
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