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申请/专利权人：长春理工大学
摘要：本发明公开了一种InGaAs‑AlGaAs纳米线及其制备方法，该纳米线以InGaAs为芯层，以AlGaAs为壳层，其制备方法包括以下步骤：1在镀有金属膜的衬底上形成合金液滴；2采用外延生长法，将步骤1得到的衬底在T1温度下，生长形成InGaAs芯层；3采用外延生长法，将步骤2得到的衬底在T2温度下，生长形成AlGaAs壳层；其中，合金液滴为金属膜中的金属与衬底中的原子所形成的合金液滴；T1＜T2。本发明通过改变温度实现了纳米线的形成以及生长机制调控，最终提高了InGaAs纳米线的发光质量。
主权项：1.一种InGaAs-AlGaAs纳米线的制备方法，其特征在于，所述InGaAs-AlGaAs纳米线以InGaAs为芯层，以AlGaAs为壳层；所述制备方法包括以下步骤：1在镀有金属膜的衬底上形成合金液滴；2采用外延生长法，将步骤1得到的衬底在T1温度下，生长形成InGaAs芯层；3采用外延生长法，将步骤2得到的衬底在T2温度下，生长形成AlGaAs壳层；其中，所述合金液滴为金属膜中的金属与衬底中的原子所形成的合金液滴；T1＜T2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长春理工大学 一种InGaAs-AlGaAs纳米线及其制备方法
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