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申请/专利权人:丰田合成株式会社
摘要:本发明提供适合于发射紫外光的具有保护膜的由III族氮化物半导体构成的发光元件。一种发光波长为200~280nm且由包含Al的III族氮化物半导体构成的发光元件,具有:p侧电极15,其接触地设置于p型层14上,具有Ru层;n侧电极16,其设置于在孔23的底面露出的n型层11上;以及保护膜18,其覆盖整个元件上表面,是依次层叠有由SiO2构成的第一保护膜18A和由SiN构成的第二保护膜18B的结构。
主权项:1.一种发光元件,发光波长为200~280nm且由包含Al的III族氮化物半导体构成,该发光元件具有:基板;半导体层,在所述基板上按n型层、发光层、p型层的顺序层叠;孔,设置于所述p型层表面的规定的区域,到达所述n型层的深度;p侧电极,接触地设置于所述p型层上,具有Ru层、Rh层、Ni层或ITO层中的任一种;n侧电极,设置于在所述孔的底面露出的所述n型层上;以及保护膜,覆盖整个元件上表面,是依次层叠有由SiO2构成的第一保护膜和由SiN构成的第二保护膜的结构。
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