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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种三维存储器，属于半导体技术领域，所述三维存储器包括：衬底；多个垂直沟道，设置在所述衬底内；源极，设置在所述垂直沟道位于所述衬底的一端，整排所述垂直沟道共用同一所述源极；漏掺杂区，设置在所述垂直沟道远离所述源极的一端；栅极介质层，设置在所述漏掺杂区和所述源极之间的所述垂直沟道的四周；金属栅极，设置在所述栅极介质层上，在与所述源极垂直的方向上，整排的所述垂直沟道外的所述金属栅极连通；以及漏极，位于所述衬底上，且与所述漏掺杂区连接，所述漏极和所述源极平行设置。通过本发明提供的一种三维存储器，能够提高存储器的集成度，能够提高空穴隧道效率，提高擦除速度，提高存储器的可靠性。
主权项：1.一种三维存储器，其特征在于，至少包括：衬底；多个垂直沟道，设置在所述衬底内；源极，设置在所述垂直沟道位于所述衬底的一端，整排所述垂直沟道共用同一所述源极；漏掺杂区，设置在所述垂直沟道远离所述源极的一端；栅极介质层，设置在所述漏掺杂区和所述源极之间的所述垂直沟道的四周；金属栅极，设置在所述栅极介质层上，在与所述源极垂直的方向上，整排的所述垂直沟道外的所述金属栅极连通；以及漏极，位于所述衬底上，且与所述漏掺杂区连接，所述漏极和所述源极平行设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 一种三维存储器
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