买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:杭州积海半导体有限公司
摘要:本发明公开了一种三维存储器,属于半导体技术领域,所述三维存储器包括:衬底;多个垂直沟道,设置在所述衬底内;源极,设置在所述垂直沟道位于所述衬底的一端,整排所述垂直沟道共用同一所述源极;漏掺杂区,设置在所述垂直沟道远离所述源极的一端;栅极介质层,设置在所述漏掺杂区和所述源极之间的所述垂直沟道的四周;金属栅极,设置在所述栅极介质层上,在与所述源极垂直的方向上,整排的所述垂直沟道外的所述金属栅极连通;以及漏极,位于所述衬底上,且与所述漏掺杂区连接,所述漏极和所述源极平行设置。通过本发明提供的一种三维存储器,能够提高存储器的集成度,能够提高空穴隧道效率,提高擦除速度,提高存储器的可靠性。
主权项:1.一种三维存储器,其特征在于,至少包括:衬底;多个垂直沟道,设置在所述衬底内;源极,设置在所述垂直沟道位于所述衬底的一端,整排所述垂直沟道共用同一所述源极;漏掺杂区,设置在所述垂直沟道远离所述源极的一端;栅极介质层,设置在所述漏掺杂区和所述源极之间的所述垂直沟道的四周;金属栅极,设置在所述栅极介质层上,在与所述源极垂直的方向上,整排的所述垂直沟道外的所述金属栅极连通;以及漏极,位于所述衬底上,且与所述漏掺杂区连接,所述漏极和所述源极平行设置。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 杭州积海半导体有限公司 一种三维存储器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。