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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储电路及其存储器，存储电路包括：多个存储块，每一存储块包括沿第一方向依次排列的第一存储部、第二存储部和第三存储部；其中，第二存储部的部分区域与第一存储部共同构成第一存储子块，第二存储部的剩余区域与第三存储部共同构成第二存储子块，第一存储子块用于存储高位字节和低位字节中的一者，第二存储子块用于存储高位字节和低位字节中的另一者，在第一方向上，并排的不同存储部的块选择地址不同。本公开实施例至少有利于均衡存储电路在第一方向和第二方向上的长度。
主权项：1.一种存储电路，其特征在于，包括：多个存储块，每一所述存储块包括沿第一方向依次排列的第一存储部、第二存储部和第三存储部；其中，所述第二存储部的部分区域与所述第一存储部共同构成第一存储子块，所述第二存储部的剩余区域与所述第三存储部共同构成第二存储子块，所述第一存储子块用于存储高位字节和低位字节中的一者，所述第二存储子块用于存储高位字节和低位字节中的另一者，在所述第一方向上，并排的不同存储部的块选择地址不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储电路及其存储器
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