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申请/专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社

摘要：提供沟槽栅极型半导体装置及其制造方法。沟槽栅极型半导体装置具备半导体基板、第一沟槽、第二沟槽、栅极绝缘膜、栅极电极和上部电极。半导体基板具有与上部电极相接的n型的第一半导体区域、配置于第一半导体区域的下侧且从与第一沟槽内的栅极绝缘膜相接的位置延伸至与第二沟槽内的栅极绝缘膜相接的位置的p型的体区域和配置于体区域的下侧且从第一沟槽内的栅极绝缘膜延伸至与第二沟槽内的栅极绝缘膜相接的位置的n型的第二半导体区域。配置有体区域的深度范围的第一沟槽与第二沟槽之间的间隔的最大值小于200nm。半导体基板的上表面处的第一沟槽与第二沟槽之间的间隔比上述最大值大。沟槽栅极型半导体装置能够使沟道电阻及接触电阻双方降低。

主权项：1.一种沟槽栅极型半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第一沟槽，其设于所述半导体基板的上表面；第二沟槽，其以与所述第一沟槽隔开间隔的方式设于所述半导体基板的所述上表面；栅极绝缘膜，其覆盖所述第一沟槽的内表面及所述第二沟槽的内表面；栅极电极，其配置于所述第一沟槽内及所述第二沟槽内，通过所述栅极绝缘膜而与所述半导体基板绝缘；以及上部电极，其覆盖所述半导体基板的所述上表面；所述半导体基板具有：n型的第一半导体区域，其配置于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，且与所述上部电极相接；p型的体区域，其配置于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间且配置于所述第一半导体区域的下侧，从与所述第一沟槽内的所述栅极绝缘膜相接的位置延伸至与所述第二沟槽内的所述栅极绝缘膜相接的位置；以及n型的第二半导体区域，其配置于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间且配置于所述体区域与下侧，从所述第一沟槽内的所述栅极绝缘膜延伸至与所述第二沟槽内的所述栅极绝缘膜相接的位置，通过所述体区域而与所述第一半导体区域分离；配置有所述体区域的深度范围的所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的间隔的最大值小于200nm，所述半导体基板的所述上表面处的所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的间隔比所述最大值大。

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