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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种快速修复热点的OPC验证方法，首先进行常规OPC验证，验证项目包含pinchcheck、bridgecheck；通过上述的验证项目测试，如果没有找到热点，则验证通过；如果找到热点，则执行自动排除热点的步骤；形成新的OPC修复掩膜图形；载入本地OPC掩膜，重新执行OPC验证。本发明在OPC验证中，采用插值采样加权平均法对EPE测量值进行计算得到更精确的热点修复值，然后自动在掩膜图形对该处热点位置进行修复，得到更贴近理想曝光图形的OPC修复图形。
主权项：1.一种快速修复热点的OPC验证方法，其特征在于：首先进行OPC验证，验证项目包含pinchcheck、bridgecheck；通过上述的验证项目测试对掩膜版图进行热点检查，如果没有找到热点，则验证通过；如果找到热点，则执行自动修复排除热点的步骤；形成新的修复后的OPC修复掩膜图形；载入本地OPC掩膜，重新执行OPC验证。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 快速修复热点的OPC验证方法
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