龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种改善离子注入层图形缺陷的OPC方法，提供衬底，在衬底上形成离子注入层的前层结构，不同的前层结构的基质对于离子注入层光刻胶的反射影响不同；提供离子注入层光罩，离子注入层光罩包括目标图形以及位于目标图形周围的SRAF，SRAF用于降低目标图形光刻显影中的光强；在前层结构上形成离子注入层光刻胶，利用离子注入光罩图形化离子注入层光刻胶，使得图形化后的离子注入层光刻胶的关键尺寸与目标尺寸的偏差值位于预设范围内。本发明能够降低前层结构对离子注入层光刻胶的反射影响，提高了OPC模型预测精确性，减小了离子注入层光刻胶的图形缺陷。
主权项：1.一种改善离子注入层图形缺陷的OPC方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成离子注入层的前层结构，不同的所述前层结构的基质对于离子注入层光刻胶的反射影响不同；提供离子注入层光罩，所述离子注入层光罩包括目标图形以及位于所述目标图形周围的SRAF，所述SRAF用于降低所述目标图形光刻显影中的光强；步骤二、在所述前层结构上形成离子注入层光刻胶，利用所述离子注入光罩图形化所述离子注入层光刻胶，使得图形化后的所述离子注入层光刻胶的关键尺寸与目标尺寸的偏差值位于预设范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善离子注入层图形缺陷的OPC方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号