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申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，具体公开了一种Delta掺杂生长p‑GaN栅型HEMT结构的方法，包括以下步骤：升温到1100℃通H2清洗衬底表面并将衬底表面腐蚀出台阶方便后续成核生长。然后降温至550℃生长后通入TMAl、TMGa和NH3生长低温AlGaN成核层。随后升温至1045℃进行成核层退火。随后在1070℃开始高阻缓冲层的外延生长，生长完成后停止TMGa的供应后在1060℃开始生长AlN插入层等操作，本发明采用Delta掺杂的方式，利用p型掺杂GaN和未掺杂GaN超晶格或者p型AlGaNGaN超晶格的晶格失配的应力，通过极化作用可以使价带边弯曲。Delta掺杂可以改变活化能进而使原本不易电离的深受主电离，在同样的掺杂浓度下，可以获得更高的空穴浓度。
主权项：1.一种Delta掺杂生长p-GaN栅型HEMT结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、升温到1100℃通H2清洗衬底表面并将衬底表面腐蚀出台阶方便后续成核生长；S2、然后降温至550℃生长后通入TMAl、TMGa和NH3生长低温AlGaN成核层；随后升温至1045℃进行成核层退火；S3、随后在1070℃开始高阻缓冲层的外延生长，生长完成后停止TMGa的供应后在1060℃开始生长AlN插入层；S4、然后在TMAl、TMGa和NH3流量分别为635μmolmin，91μmolmin，20slm的条件下，在1020℃开始生长AlGaN势垒层1；然后在TMAl、TMGa和NH3流量分别为882μmolmin，126μmolmin，20slm的条件下，在同样温度下生长AlGaN势垒层2；之后改变温度至970℃，开始通3min高浓度的CP2Mg来抑制记忆效应，然后开始生长三个周期的20nm的掺杂浓度约为5×1019cm-3的p-GaN；和在同样温度下生长的10nmu-GaN；S5、最后在750℃的温度下原位N2氛围退火20min，然后降温。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种Delta掺杂生长p-GaN栅型HEMT结构的方法
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