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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种光刻双重曝光工艺方法，方法包括：提供一具有水平线条图形及垂直线条图形的掩膜版；在光刻机内设置水平双极照明及垂直双极照明；调整水平距离及水平值以使得掩膜版上的垂直线条图形能够成像，且水平线条图形不能成像；调整垂直距离及垂直值以使得掩膜版上的水平线条图形能够成像，且垂直线条图形不能成像；于形成有衬底的晶圆上形成光刻胶，并对其进行水平双极照明的扫描曝光及垂直双极照明的扫描曝光，以在光刻胶上形成垂直线条图形及水平线条图形；对衬底进行一次光刻以将掩膜版上的垂直线条图形及水平线条同步转移到晶圆衬底上。通过本发明解决了现有的双重曝光工艺生产成本高且效率低下的问题。
主权项：1.一种光刻双重曝光工艺方法，其特征在于，所述方法包括：提供一具有水平线条图形及垂直线条图形的掩膜版；在光刻机内设置水平双极照明及垂直双极照明，其中，所述水平双极照明的光源中心与主光轴的距离为水平距离，光源大小为水平值，所述垂直双极照明的光源中心与主光轴的距离为垂直距离，光源大小为垂直值；调整所述水平距离及所述水平值以使得掩膜版上的垂直线条图形能够成像，且水平线条图形不能成像；调整所述垂直距离及所述垂直值以使得掩膜版上的水平线条图形能够成像，且垂直线条图形不能成像；于形成有衬底的晶圆上形成光刻胶，并对其进行所述水平双极照明的扫描曝光及所述垂直双极照明的扫描曝光，以在所述光刻胶上形成垂直线条图形及水平线条图形；对所述衬底进行一次光刻以将掩膜版上的垂直线条图形及水平线条同步转移到晶圆衬底上；其中，所述水平距离大于0小于1，所述水平值大于0小于1，所述垂直距离大于0小于1，所述垂直值大于0小于1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 光刻双重曝光工艺方法
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