龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种三维存储器的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底内形成第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构和第二隔离结构垂直交叉分布，在所述衬底内形成多个垂直沟道，所述第二隔离结构的深度小于所述第一隔离结构的深度；在所述第二隔离结构底部的所述衬底内形成源极，整排所述垂直沟道共用同一所述源极；在所述垂直沟道四周依次形成栅极介质层和金属栅极，所述金属栅极与所述源极垂直分布；在所述垂直沟道上形成漏极，所述漏极和所述源极平行设置。通过本发明提供的一种三维存储器的制作方法，能够提高存储器的集成度，简化制作流程，降低生产成本，提高生产效率。
主权项：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，至少包括：提供一衬底；在所述衬底内形成第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构和第二隔离结构垂直交叉分布，在所述衬底内形成多个垂直沟道，所述第二隔离结构的深度小于所述第一隔离结构的深度；在所述第二隔离结构底部的所述衬底内形成源极，整排所述垂直沟道共用同一所述源极；在所述垂直沟道四周依次形成栅极介质层和金属栅极，所述金属栅极与所述源极垂直分布；以及在所述垂直沟道上形成漏极，所述漏极和所述源极平行设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 一种三维存储器的制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号