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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，该形成方法包括：形成包括多个层叠分布的半导体层的初始半导体结构；在初始半导体结构内形成多个接触孔；在至少部分接触孔内形成第一掺杂离子层，第一掺杂离子层至少设于位于最顶层的半导体层之外的各半导体层围成的接触孔的孔段内；在至少部分接触孔内形成第二掺杂离子层，第二掺杂离子层至少设于由位于最顶层的半导体层围成的接触孔的孔段的内壁，第二掺杂离子层中的掺杂离子的浓度大于第一掺杂离子层中的掺杂离子的浓度；对第一掺杂离子层及第二掺杂离子层进行退火处理。本公开的形成方法可减小位于最顶层的半导体层中的离子浓度与预计浓度之间的差异，提高产品良率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括多个沿第一方向延伸并沿第二方向层叠分布的半导体层，所述第二方向与所述第一方向相交；沿所述第二方向对所述初始半导体结构进行蚀刻，以形成沿所述第一方向间隔排布的多个接触孔，至少部分所述接触孔穿过所述半导体层；在至少部分所述接触孔内形成第一掺杂离子层，所述第一掺杂离子层至少设于位于最顶层的所述半导体层之外的各所述半导体层围成的所述接触孔的孔段内；在至少部分所述接触孔内形成第二掺杂离子层，所述第二掺杂离子层至少设于由位于最顶层的所述半导体层围成的所述接触孔的孔段的内壁，所述第二掺杂离子层中的掺杂离子的浓度大于所述第一掺杂离子层中的所述掺杂离子的浓度；对所述第一掺杂离子层及所述第二掺杂离子层进行退火处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法、存储器
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