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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要：一种半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层，介电层和场板。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，并具有比第一氮化物基半导体层大的带隙，从而形成异质结和与该异质结相邻的二维电子气2DEG区域。介电层覆盖第二氮化物基半导体层。场板共形地设置在介电层上，并包括多个不同高度的水平部分和多个连接部分，其中任何两个相邻的水平部分通过相应的连接部分连接，使得整个场板在半导体器件的垂直截面图中是连续的。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层上并具有比所述第一氮化物基半导体层大的带隙，从而形成异质结和与所述异质结相邻的二维电子气2DEG区域；介电层，其覆盖所述第二氮化物基半导体层；以及场板，其共形地设置在所述介电层上，并且包括在不同高度处的多个水平部分和多个连接部分，其中任何两个相邻的水平部分通过相应的连接部分连接，使得整个所述场板在所述半导体器件的垂直截面图中是连续的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 半导体器件及其制造方法
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