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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：本发明提供了第一半导体管芯，该第一半导体管芯包括第一衬底、第一半导体器件、第一互连层级介电材料层、第一金属互连结构和第一接合垫。本发明提供了第二半导体管芯，该第二半导体管芯包括绝缘体上半导体SOI衬底、第二半导体器件、第二互连层级介电材料层、第二金属互连结构和第二接合垫。该第二接合垫接合到该第一接合垫。该SOI衬底的体衬底层被移除，从而暴露该SOI衬底的绝缘材料层，该绝缘材料层可被保留或也被移除。外部接合垫电连接到该第二半导体器件的节点。
主权项：1.一种形成接合组件的方法，所述方法包括：提供第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括第一衬底、第一半导体器件、第一互连层级介电材料层、嵌入在所述第一互连层级介电材料层中的第一金属互连结构、以及定位在所述第一互连层级介电材料层上并通过所述第一金属互连结构的相应子集连接到所述第一半导体器件的相应节点的第一接合垫；提供第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括绝缘体上半导体SOI衬底、定位在所述SOI衬底的半导体材料层上的第二半导体器件、第二互连层级介电材料层、嵌入在所述第二互连层级介电材料层中的第二金属互连结构、以及定位在所述第二互连层级介电材料层上并通过所述第二金属互连结构的相应子集连接到所述第二半导体器件的相应节点的第二接合垫；将所述第二接合垫接合到所述第一接合垫；移除所述SOI衬底的体衬底层，其中所述SOI衬底的绝缘材料层被物理地暴露；形成外部接合垫，所述外部接合垫电连接到所述第二半导体器件的节点；穿过所述SOI衬底的所述绝缘材料层和所述半导体材料层形成连接通孔腔体；在所述连接通孔腔体中形成导电连接通孔结构，其中所述外部接合垫在所述绝缘材料层上方形成在所述导电连接通孔结构上，其中：所述第二金属互连结构包括嵌入在所述第二互连层级介电材料层中的蚀刻停止金属板；并且蚀刻停止金属垫结构的表面在形成所述连接通孔腔体时被物理地暴露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包括绝缘体上半导体管芯的接合组件及其制造方法
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