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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atomscm3以下，优选为1×1018atomscm3以下。
主权项：1.一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；源电极层，在所述氧化物半导体膜上并且电连接到所述氧化物半导体膜；以及漏电极层，在所述氧化物半导体膜上并且电连接到所述氧化物半导体膜，其中，所述氧化物半导体膜包括结晶部，所述源电极层和所述漏电极层中的至少一个在沟道宽度方向的长度小于所述氧化物半导体膜在所述沟道宽度方向的长度，所述氧化物半导体膜的与所述源电极层和所述漏电极层之一和所述绝缘层重叠的区域的厚度大于所述氧化物半导体膜的不与所述绝缘层、所述源电极层和所述漏电极层重叠的区域的厚度，并且，所述氧化物半导体膜包括氯浓度低于或等于5x1018atomscm3的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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