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申请/专利权人：创世舫科技有限公司
摘要：一种横向III‑N器件具有垂直栅极模块，该垂直栅极模块含取向为N极型或III族极型取向的III‑N材料。III‑N材料结构具有III‑N缓冲层、III‑N势垒层和III‑N沟道层。III‑N势垒层与III‑N沟道层之间的组分差异造成在III‑N沟道层中诱发2DEG沟道。p型III‑N本体层设置在源极侧接入区中的III‑N沟道层上方，而不在漏极侧接入区上方。n型III‑N覆盖层在p型III‑N本体层上方。接触n型III‑N覆盖层的源电极电连接到p型III‑N本体层，并且当栅电极以比阈值电压低的电压相对于源电极偏置时，与2DEG沟道电隔离。
主权项：1.一种III-N器件，包括：III-N材料结构，所述III-N材料结构在衬底上方，其中，所述III-N材料结构包括III-N缓冲层、III-N势垒层和形成在所述III-N势垒层上的III-N沟道层，其中，所述III-N势垒层与所述III-N沟道层之间的组分差异造成在所述III-N沟道层中诱导2DEG沟道；p型III-N本体层，所述p型III-N本体层在所述器件的源极侧接入区中的所述III-N沟道层上方，而不在所述器件的漏极侧接入区中的所述III-N沟道层上方；以及n型III-N覆盖层，所述n型III-N覆盖层在所述p型III-N本体层上方；源电极、栅电极以及漏电极，所述源电极、所述栅电极以及所述漏电极各自在与所述衬底相反的一侧的所述III-N材料结构上方；其中，所述源电极接触所述n型III-N覆盖层并且电连接到所述p型III-N本体层，并且所述漏电极接触所述III-N沟道层；并且其中，当所述栅电极以比所述器件的阈值电压低的电压相对于所述源电极被偏置时，所述p型III-N本体层使得所述源电极与所述2DEG沟道电隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 创世舫科技有限公司 包括垂直栅极模块的横向III族氮化物器件
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