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申请/专利权人：波拉科技有限公司
摘要：一种用于形成多孔III族氮化物材料的方法，包括以下步骤：将III族氮化物材料暴露于气体中，将III族氮化物材料耦接到电源的一个端子，将电极耦接到电源的另一个端子，通过气体形成电路。所述方法包括以下步骤：使电路通电以在III族氮化物材料中蚀刻多个孔，从而形成多孔III族氮化物材料。孔优选地形成在电荷载流子密度大于1×1017cm‑3的III族氮化物材料中。还提供了包括通过所述方法形成的多孔III族氮化物材料的半导体结构、用于半导体过生长的模板和半导体器件。
主权项：1.一种用于形成多孔III族氮化物材料的方法，包括：将III族氮化物材料暴露于气体中；将所述III族氮化物材料耦接到电源的一个端子，将电极耦接到所述电源的另一个端子，通过所述气体形成电路；以及使所述电路通电以在所述III族氮化物材料中蚀刻多个孔，从而形成多孔III族氮化物材料。
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百度查询： 波拉科技有限公司 形成多孔III族氮化物材料的方法
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