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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，所述碳化硅VDMOS包括至少三个元胞结构，所述元胞结构包括：在碳化硅衬底一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长形成漂移层；在漂移层上方淀积阻挡层，刻蚀、离子注入，分别形成第二阱区、第一阱区、N型源区以及P型源区；重新形成阻挡层，刻蚀、淀积，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、第二阱区，干氧氧化，形成栅极介质层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及栅极介质层，形成通孔以及沟槽，淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制造；以牺牲单侧阱区部分导通电阻的代价抑制了沟槽栅拐角处的电场集中，提高了栅可靠性。
主权项：1.一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，所述碳化硅VDMOS包括至少三个元胞结构，所述元胞结构包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长形成漂移层；步骤2、在漂移层上方淀积阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第二阱区；步骤3、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第一阱区；步骤4、重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔对第一阱区以及第二阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔对第一阱区以及第二阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔进行金属淀积，形成源极金属层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、第二阱区形成通孔，之后进行干氧氧化，形成栅极介质层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及栅极介质层，形成通孔以及沟槽，在所述沟槽中淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制造。
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权利要求：
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