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阵列基板及其制备方法 

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申请/专利权人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

摘要:本申请公开了一种阵列基板及其制备方法。本申请所述的制备方法包括以下步骤:在基板上形成第一金属层。在第一金属层远离基板的一侧形成第一绝缘层。对第一绝缘层进行蚀刻以形成第一过孔,第一过孔暴露出第一金属层。对第一过孔内的第一金属层的表面进行还原处理以还原第一金属层的表面的金属氧化物和减少非稳定态金属原子。本申请提供的方法可以改善通过过孔连接的双层金属之间的信号传输效果。

主权项:1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在基板上形成第一金属层,所述第一金属层的材料为铜或铝中的至少一种;在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层;对所述第一绝缘层进行干法蚀刻以形成第一过孔,所述第一过孔暴露出所述第一金属层;对所述第一过孔内的第一金属层的表面进行还原处理以还原所述第一金属层的表面的金属氧化物和减少非稳定态金属原子,包括:将所述第一金属层置入一还原腔体内;向所述还原腔体通入还原性气体的等离子体,所述等离子体与所述第一过孔内的第一金属层的表面发生还原反应以还原所述金属氧化物和减少所述非稳定态金属原子,以使第二绝缘层不产生倒三角状的切口,其中,所述还原性气体为氢气;在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一过孔;对所述第二绝缘层对应所述第一过孔的位置进行蚀刻以形成第二过孔,所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层的孔壁,所述第二过孔暴露出第一金属层;在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第二金属层,所述第二金属层通过所述第二过孔与所述第一金属层接触。

全文数据:

权利要求:

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