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申请/专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
摘要：本发明揭露了一种直拉单晶工艺以及单晶晶体，所述直拉单晶工艺在进入收尾阶段时，主加热器的功率切换至一高于等径结束时的功率值，并保持该功率值至收尾结束；所述收尾包括直径控制阶段与固定阶段，在直径控制阶段，晶体的直径控制值设定为与晶体等径段的直径相等或与晶体等径段直径的差值在±3mm以内，晶体的生长速率由等径结束时的第一生长速率值逐步降低至直径控制阶段结束时的第二生长速率值，在直径控制阶段生成的晶体为收尾段的第一段；通过上述直拉单晶工艺制备的单晶晶体，其收尾段第一段的直径符合合格晶体直径要求，可和等径段一起作为合格晶体使用，从而大大提高了原材料利用率，大大降低了生产成本。
主权项：1.一种直拉单晶工艺，包括等径与收尾，其特征在于：在等径结束后进入收尾阶段时，主加热器的功率切换至一高于等径结束主加热器功率时的功率值，且在整个收尾过程中，所述主加热器的功率一直保持为该功率值；所述收尾包括直径控制阶段与固定阶段；在所述直径控制阶段，晶体的直径控制值设定为与晶体等径段的直径相等或与晶体等径段直径的差值在±3mm以内，所述晶体的生长速率由等径结束时的第一生长速率值逐步降低至直径控制阶段结束时的第二生长速率值；所述第一生长速率值为100±5mmhr，所述第二生长速率值为35-45mmhr；在所述直径控制阶段生成的晶体为收尾段的第一段，在所述固定阶段生成的晶体为收尾段的第二段，所述第二段的直径自朝向第一段的一端往尾端逐渐变大，且所述第二段尾端的端面为往外的凸面，除去往外的凸面后，第二段剩下部分的直径均不小于第一段的直径；在所述直径控制阶段结束后进入固定阶段时，所述晶体的生长速率由所述第二生长速率值切换至一低于第二生长速率值的第三生长速率值，且在整个固定阶段，所述晶体的生长速率一直保持为所述第三生长速率值。
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权利要求：
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