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申请/专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
摘要：本申请公开了一种在异质衬底上制备AlN膜的方法及AlN膜，涉及半导体材料技术领域。本申请的在异质衬底上制备AlN膜的方法包括以下步骤：S100、在异质衬底上生长AlN初始层；S200、通入金属原子对AlN初始层进行原位退火，即得AlN膜；原位退火的条件包括：金属原子的通入流量为1sccm～10sccm，退火压强为50mbar～200mbar；其中，金属原子中的金属元素选自IIA族元素和或IIIA族元素中的至少一种。本申请提供的制备方法工艺简单，成本较低，能制得缺陷少，晶体质量高的AlN膜。
主权项：1.一种在异质衬底上制备AlN膜的方法，其特征在于，其包括以下步骤：S100、在异质衬底上生长AlN初始层；S200、通入金属原子对所述AlN初始层进行原位退火，即得AlN膜；所述原位退火的条件包括：金属原子的通入流量为1sccm～10sccm，退火压强为50mbar～200mbar；其中，所述金属原子中的金属元素选自IIA族元素和或IIIA族元素中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中博芯半导体科技有限公司 一种在异质衬底上制备AlN膜的方法及AlN膜
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