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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明公开了一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法，其涉及器件设计技术领域。包括：4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层，所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层；所述P型SiC外延层包括：SiO2保护层、多个长度和间距不均等的P型梯形岛，SiO2保护层与靠近SiO2保护层的第一个P型梯形岛相连，且所述多个P型梯形岛之间首尾相连；所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积阳极，所述4H‑SiC衬底层的下表面沉积阴极。本发明对碳化硅（SiC）SBD器件的边缘终端进行改进，显著提高碳化硅SBD器件的反向击穿电压，优化碳化硅SBD器件的整体性能。
主权项：1.一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件，其特征在于，包括：阳极2、N型SiC外延层、4H-SiC衬底层6、阴极7；所述4H-SiC衬底层6的上表面沉积所述N型SiC外延层，所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层；对P型SiC外延层进行刻蚀形成多个长度和间距不均等的P型梯形岛3以形成终端结构，SiO2保护层1覆盖所述多个长度和间距不均等的P型梯形岛3和部分阳极，且所述SiO2保护层1与右侧的第一个P型梯形岛3相连；所述多个P型梯形岛3之间的长度关系为：LPn＝LP1+n-1×ΔL其中，LP1为左侧第一个P型梯形岛的长度，n为P型梯形岛的数量，LPn为后续第n个P型梯形岛的长度，ΔL为长度的增量步长；所述多个P型梯形岛3之间的间距关系为：SPn＝SP1+n-1×ΔS其中，SP1为左侧第一个P型梯形岛和左侧第二个P型梯形岛的间距，n为P型梯形岛的数量，SPn为后续两个P型梯形岛之间的间距，ΔS为间距的增量步长；所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积所述阳极2，所述阳极2覆盖所有的P型梯形岛3及其之间的区域，所述多个P型梯形岛3之间通过所述阳极2首尾相连，且左侧的第一个P型梯形岛3与所述阳极2连接；所述4H-SiC衬底层6的下表面沉积所述阴极7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
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