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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种提升FinFET的交流性能的结构，FinFET的栅极结构覆盖在鳍体的顶部表面和侧面；栅极结构上设置有缺口，缺口设置在位于鳍体侧面的栅极结构的侧面上；在垂直鳍体的侧面方向上，缺口具有顶部表面、底部表面和侧面；通过缺口使栅极结构所覆盖的区域减少以减少寄生电容并从而提升FinFET的交流性能；缺口的宽度、纵向范围和位置高度设置为保证FinFET的直流特性满足要求。本发明还公开了一种提升FinFET的交流性能的方法。本发明能提升器件的交流性能，同时使器件的直流性能满足要求。
主权项：1.一种提升FinFET的交流性能的结构，其特征在于：FinFET的栅极结构覆盖在鳍体的顶部表面和侧面；所述栅极结构上设置有缺口，所述缺口设置在位于所述鳍体侧面的所述栅极结构的侧面上；在垂直所述鳍体的侧面方向上，所述缺口具有顶部表面、底部表面和侧面；所述缺口的宽度为所述缺口的侧面和对应的所述栅极结构的侧面的间距；所述缺口的纵向范围为所述缺口的顶部表面和底部表面之间的间距；所述缺口的位置高度为所述缺口的顶部表面和底部表面之间的中间位置和所述鳍体的顶部表面之间的间距；通过所述缺口使所述栅极结构所覆盖的区域减少以减少寄生电容并从而提升FinFET的交流性能；所述缺口的宽度、纵向范围和位置高度设置为保证所述FinFET的直流特性满足要求；所述缺口的宽度为4nm，所述缺口的纵向范围为8nm～20nm，所述缺口的位置高度为32nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 提升FinFET的交流性能的结构和方法
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