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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本申请涉及功率电子器件制备技术领域，尤其涉及一种SiCGaN垂直FinFET器件及制备方法。器件包括：漏极层、n+型SiC衬底、n‑型SiC同质外延层、缓冲层、n‑型GaN外延层；缓冲层为二维材料薄膜或者高掺杂AlGaN薄膜；n‑型GaN外延层的顶侧凹陷设置有凹槽；器件还包括：n+型GaN外延层、源极层和栅极层；n+型GaN外延层位于n‑型GaN外延层中相邻两个凹槽之间的呈凸起状的部分的顶侧；源极层位于n+型GaN外延层的顶侧；栅极层位于凹槽内。本申请能够解决在现有的使用GaN或者SiC制备外延片结构的技术中存在的缓冲层生成难度高以及制备的外延片结构的雪崩耐力不足的技术问题。
主权项：1.一种SiCGaN垂直FinFET器件，其特征在于，所述器件包括：按照从下至上的顺序依次设置的漏极层、n+型SiC衬底、n-型SiC同质外延层、缓冲层、n-型GaN外延层；所述缓冲层为二维材料薄膜或者高掺杂AlGaN薄膜；所述缓冲层的厚度为0.2nm～50nm；所述n-型GaN外延层的顶侧凹陷设置有多个凹槽；所述器件还包括：n+型GaN外延层、源极层和栅极层；所述n+型GaN外延层位于所述n-型GaN外延层中相邻两个所述凹槽之间的呈凸起状的部分的顶侧；所述源极层位于所述n+型GaN外延层的顶侧；所述栅极层位于所述凹槽内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种SiC/GaN垂直FinFET器件及制备方法
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