买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种拆分FinFET的寄生电容的结构，包括一组第一种测试结构，第一种测试结构的版图结构包括：多个平行排列的鳍体，多个平行排列的栅极结构；各第一种测试结构之间的栅极结构的长度变化；第一种测试结构的单元结构采用第一FinFET单元结构，第一FinFET单元结构的第一阱区和源漏区的掺杂类型相反。第一种测试结构包括两种测试条件，第一和第二种测试条件中分别将栅极接0V和工作电压测试得到第一和第二测试电容。通过第一和第二测试电容得到Cgd0、Cgd、Cch、Cdo、Cnorm1和Cnorm2。本发明公开了一种拆分FinFET的寄生电容的方法。本发明能对FinFET的寄生电容进行拆分，从而能对FinFET的性能做精确分析。

主权项：1.一种拆分FinFET的寄生电容的结构，其特征在于，包括一组第一种测试结构；所述第一种测试结构的版图结构包括：多个平行排列的鳍体，多个平行排列的栅极结构；不同的所述第一种测试结构中所包括的所述鳍体的数量相同，所述栅极结构的数量相同，所述栅极结构的长度变化，所述栅极结构的长度方向和所述鳍体的长度方向垂直；各所述第一种测试结构的单元结构采用第一FinFET单元结构；所述第一FinFET单元结构包括：形成于所述鳍体上的第二导电类型的第一阱区；所述栅极结构覆盖在所述第一阱区的表面上，被所述栅极结构所覆盖的所述第一阱区组成沟道区；在所述栅极结构两侧的所述第一阱区上形成有第一导电类型的轻掺杂漏区；在所述栅极结构两侧侧面形成有侧墙；在所述栅极结构两侧的所述鳍体中形成有和所述侧墙自对准的嵌入式外延层，在所述嵌入式外延层中形成有第一导电类型重掺杂的源区和漏区；所述栅极结构的顶部通过栅极金属零层引出到栅极，所述源区通过顶部的有源区金属零层引出到源极，所述漏区通过顶部的有源区金属零层引出到漏极，所述第一阱区通过位于所述第一FinFET单元结构外的体电极引出；各所述第一种测试结构包括两种测试条件；第一种测试条件包括：将所述栅极设置为高电平，所述源极和所述漏极设置为低电平，所述体电极接地，之后将所述栅极接0V测试所述栅极与所述源极和漏极之间的电容并得到第一测试电容，令第一测试电容为Cmeas1；第二种测试条件包括：将所述栅极设置为高电平，所述源极和所述漏极设置为低电平，所述体电极接地，之后将所述栅极接工作电压测试所述栅极与所述源极和漏极之间的电容并得到第二测试电容，令第二测试电容为Cmeas2；通过所述第一测试电容和所述第二测试电容得到Cgd0、Cgd、Cch、Cdo、Cnorm1和Cnorm2；采用的计算公式包括：Cnorm1＝CLg1-CLg2[Weff*Nf*Lg1-Lg2]；Cnorm2＝CLg1-CLg2[Nf*Lg1-Lg2]；Cgd0＝Cmeas12*Nf*Np；Cgd＝Cmeas2Nf*Np；Cch＝Cgd-2*Cgd0Cdo＝Cnorm2*Lg-Cch；Cnorm1为第一归一化电容，Lg1为第一栅极长度，Lg2为第二栅极长度的，CLg1为对采用了第一栅极长度的所述第一种测试结构进行第二种测试条件测试得到的Cmeas2，CLg2为对采用了第二栅极长度的所述第一种测试结构进行第二种测试条件测试得到的Cmeas2，Weff为所述栅极结构的有效宽度，Nf表示所述第一种测试结构中的所述鳍体的数量；Cnorm2为第二归一化电容；Np表示所述第一种测试结构中的所述栅极结构的数量；Cgd0为第一种测试条件下的第一FinFET单元结构的栅漏电容；Cgd为第二种测试条件下的第一FinFET单元结构的栅漏电容；Cch为第一FinFET单元结构的所述栅极结构和沟道区之间的寄生电容；Cdo为第一FinFET单元结构的所述栅极结构和所述轻掺杂漏区之间直接交叠形成的寄生电容。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 拆分FinFET的寄生电容的结构和方法