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申请/专利权人：广东汉岂工业技术研发有限公司
摘要：本发明公开了一种FinFET制造方法，包括：采用多重图形化掩膜工艺形成包括衬底、第一氧化层、硬掩膜层、第二氧化层和多个间隔件的结构；对上述图形化的结构进行蚀刻，在与多个间隔件位置对应的部分形成多个鳍片，每个鳍片上方形成有第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层；在相邻两个鳍片之间形成浅沟道隔离区，浅沟道隔离区的高度与鳍片的高度相同；对每个浅沟道隔离区进行凹陷处理在相邻两个鳍片之间形成凹槽，以露出鳍片的上部；在每个鳍片和每个凹槽表面沉积ALD薄膜；对沉积有ALD薄膜的多个鳍片和凹槽进行切割处理。由此，可以看到通过本发明方法制得的FinFET结构的鳍片并无倾斜、凹槽边缘对称、凹槽深度相同且鳍片特征尺寸相同。
主权项：1.一种FinFET制造方法，其特征在于，包括以下步骤：采用多重图形化掩膜工艺形成包括衬底、第一氧化层、硬掩膜层、第二氧化层和多个间隔件的结构；对上述图形化的结构进行蚀刻，在与所述多个间隔件位置对应的部分形成多个鳍片，每个所述鳍片上方形成有所述第一氧化层、所述硬掩膜层和所述第二氧化层；在相邻两个所述鳍片之间形成浅沟道隔离区，所述浅沟道隔离区的高度与所述鳍片的高度相同；对每个所述浅沟道隔离区进行凹陷处理在相邻两个所述鳍片之间形成凹槽，以露出所述鳍片的上部；在每个所述鳍片和每个所述凹槽表面沉积ALD薄膜；对沉积有所述ALD薄膜的所述多个鳍片和凹槽进行切割处理，包括：去除边缘部分的虚拟鳍片和对应的凹槽；在剩余的鳍片和凹槽之间以及上方沉积氧化层；进行氧回蚀处理以暴露出所述ALD薄膜；移除所述ALD薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东汉岂工业技术研发有限公司 一种FinFET制造方法
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