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摘要：本发明提供一种优化评估光刻聚焦defocusstart平面的方法，方法包括：提供一晶圆，并于晶圆的表面由光阻形成不同种类的光栅图形；选取多种不同光栅图形，分别量测各光栅图形的光刻胶在不同厚度阈值下的关键尺寸，以得到关键尺寸与厚度阈值的线性关系；确定建立OPC模型数据所采用的模型厚度阈值，对于同一关键尺寸，模型厚度阈值与线性关系中的厚度阈值一致；将晶圆在量测位置做切片，并量测各光栅图形的光阻厚度；根据光阻厚度及线性关系得到defocusstart平面位置。通过本发明解决了现有的defocusstart参数进行全局优化时，因运行时间长、优化结果缺乏物理意义而对OPC模型的精确性产生影响的问题。
主权项：1.一种优化评估光刻聚焦defocusstart平面的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1）提供一晶圆，并于所述晶圆的表面由光阻形成不同种类的光栅图形；步骤2）选取多种不同所述光栅图形，分别量测各光栅图形的光刻胶在不同厚度阈值下的关键尺寸，以得到所述关键尺寸与所述厚度阈值的线性关系，其中，所述厚度阈值的取值为0~100%；步骤3）确定建立OPC模型数据所采用的模型厚度阈值，对于同一所述关键尺寸，所述模型厚度阈值与所述线性关系中的厚度阈值一致；步骤4）将晶圆在量测位置做切片，并量测各光栅图形的光阻厚度；步骤5）根据所述光阻厚度及所述线性关系得到所述defocusstart平面位置。
全文数据：
权利要求：
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