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申请/专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
摘要：本申请提供一种单光子雪崩二极管探测器及其制造方法。单光子雪崩二极管探测器包括：P型衬底、第一P型层、N型层和铁电层。P型衬底包括相对的第一侧和第二侧。第一P型层和N型层依序形成在P型衬底的所述第一侧，并且共同形成雪崩PN结。铁电层形成在P型衬底内并且从P型衬底的第一侧朝向第二侧延伸。铁电层环绕雪崩PN结并且与雪崩PN结相隔一距离。本申请通过在单光子雪崩二极管探测器加入铁电层，加速了载流子在P型衬底的漂移速度，提高响应速度。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管探测器，其特征在于，包括：P型衬底，包括相对的第一侧和第二侧；第一P型层；N型层，其中所述第一P型层和所述N型层依序形成在所述P型衬底的所述第一侧，并且共同形成雪崩PN结；以及铁电层，形成在所述P型衬底内并且从所述P型衬底的所述第一侧朝向所述第二侧延伸，其中所述铁电层环绕所述雪崩PN结并且与所述雪崩PN结相隔一距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兆易创新科技集团股份有限公司 单光子雪崩二极管探测器及其制造方法
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