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申请/专利权人:先进微晶圆私人有限公司
摘要:本公开一般涉及一种单光子雪崩二极管SPAD,其具有包括倍增结的掺杂分布的肋波导、在肋波导的顶表面上设置的顶部包层、在肋波导的底表面上设置的底部包层。SPAD有阳极、阴极和两个场板。相对于没有至少两个场板的SPAD,阳极、阴极和两个场板被配置为抑制倍增结上的电场,并且两个场板和或阴极位于倍增结和顶部包层的交叉点附近。
主权项:1.一种单光子雪崩二极管SPAD,包括:具有包括倍增结的掺杂分布的肋波导;顶部包层,所述顶部包层设置在所述肋波导的顶表面上;底部包层,所述底部包层设置在所述肋波导的底表面上;阳极;阴极;以及至少两个场板,其中,相对于没有所述至少两个场板的SPAD,所述阳极、所述阴极和所述至少两个场板被配置为抑制所述倍增结上的电场,其中,所述至少两个场板位于所述倍增结的交叉点附近。
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权利要求:
百度查询: 先进微晶圆私人有限公司 基于波导的单光子雪崩二极管(SPAD)
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