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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及单光子雪崩二极管。一种单光子雪崩二极管可包括基板和由基板支撑的多个结结构。基板可具有彼此相对的上表面和下表面。结结构可由基板支撑以与基板的上表面接触。结结构可包括在垂直于基板的垂直方向上彼此交叠的部分。各个结结构可包括具有第一导电类型并且被设置为与基板的上表面接触的第一杂质区域以及具有第二导电类型并且被设置为与基板的上表面和第一杂质区域的底表面接触的第二杂质区域。各个结结构中的第一杂质区域和第二杂质区域可被配置为通过基板的上表面接收偏置电压。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管，该单光子雪崩二极管包括：基板，该基板具有彼此相对的上表面和下表面；以及多个结结构，所述多个结结构由所述基板支撑以与所述基板的上表面接触，其中，所述多个结结构中的每一个包括：第一杂质区域，该第一杂质区域具有第一导电类型并且被设置为与所述基板的上表面接触；以及第二杂质区域，该第二杂质区域具有第二导电类型并且被设置为与所述基板的上表面和所述第一杂质区域的底表面接触，并且其中，各个所述结结构中的所述第一杂质区域和所述第二杂质区域通过所述基板的上表面接收偏置电压，其中，所述多个结结构设置为在垂直于所述基板的垂直方向上彼此交叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 单光子雪崩二极管
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