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一种具有低载流子吸收损耗上波导层的氮化镓基半导体激光器 

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申请/专利权人:安徽格恩半导体有限公司

摘要:本发明提出了一种具有低载流子吸收损耗上波导层的氮化镓基半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层,所述上波导层为低载流子吸收损耗上波导层,所述低载流子吸收损耗上波导层具有峰值速率电场分布特性和饱和电子漂移速率分布特性。本发明的具有低载流子吸收损耗上波导层的氮化镓基半导体激光器的上波导层中具有峰值速率电场分布特性和饱和电子漂移速率分布特性,从而使上波导层形成低载流子吸收损耗上波导层,降低上波导层的非辐射复合中心,抑制上波导层和上包覆层的自由载流子吸收损耗,增强激光器的弛豫振动频率,提升激光器的响应度,从而降低激光器的光吸收损耗和阈值电流密度。

主权项:1.一种具有低载流子吸收损耗上波导层的氮化镓基半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层,其特征在于,所述上波导层为低载流子吸收损耗上波导层,所述低载流子吸收损耗上波导层具有峰值速率电场分布特性和饱和电子漂移速率分布特性。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽格恩半导体有限公司 一种具有低载流子吸收损耗上波导层的氮化镓基半导体激光器

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