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申请/专利权人：湖北大学
摘要：本发明提供一种环绕式垂直沟道3DNAND存储器及其测试方法，包括填充层、金属层、沟道、源极、漏极、选择管、多个控制栅、隧穿层、电荷俘获层和阻挡层；填充层、金属层、沟道、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅从内到外绕垂直轴依次布设；多个控制栅呈层叠结构，相邻两个控制栅之间存在间距；选择管包括上选择管和下选择管，分别位于层叠结构的两端，与隧穿层接触；源极和漏极分别位于垂直轴两端，源极与填充层、金属层、沟道接触，漏极与金属层、沟道接触。本发明可以提高3DNANDFlash的擦除速度，同时能使保持每个存储单元擦除的一致性，且同样适用于高层器件，不大幅度修改制造工艺或器件布局。
主权项：1.一种环绕式垂直沟道3DNAND存储器，其特征在于，包括填充层、金属层、沟道、源极、漏极、选择管、多个控制栅、隧穿层、电荷俘获层和阻挡层；所述填充层、金属层、沟道、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅从内到外绕垂直轴依次布设；所述多个控制栅呈层叠结构，相邻两个所述控制栅之间存在间距；所述选择管包括上选择管和下选择管，分别位于所述层叠结构的两端，与所述隧穿层接触；所述源极和所述漏极分别位于所述垂直轴两端，所述源极与所述填充层、金属层、沟道接触，所述漏极与所述金属层、沟道接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北大学 环绕式垂直沟道3D NAND存储器及其测试方法
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