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申请/专利权人:赛姆柯(苏州)智能科技有限公司
摘要:本发明公开一种LPCVD双材质真空反应室,其包括反应室、进气组件及出气管,进气组件与外部气源连接,反应室包括外层腔体及设在外层腔体内的内层腔体;进气组件包括至少一个左进气管及至少一个右进气管,每一个左进气管的进气口设置在反应室长度方向的一端部,每一个右进气管的进气口设置在反应室长度方向的另一端部,左进气管和右进气管上均设有多个出气孔。本发明设计的真空反应室,反应室两端均有进气管进行气体扩散,使得反应室内气体分散广泛均匀,出气稳定,提高硅片薄膜均匀性及工艺质量,提高产品优良率;真空反应室采用双层结构,真空性优异,抗冲击性能强,提高整体反应室的强度,提高使用寿命。
主权项:1.一种LPCVD双材质真空反应室,其特征在于,包括具有中空结构的反应室1、设置在反应室1内的进气组件及设置在反应室1端部的出气管2,所述进气组件与外部气源13连接,所述反应室1包括外层腔体11及设置在外层腔体11内的内层腔体12,所述外层腔体11由金属材质制成,所述内层腔体12由石英材质制成;所述外层腔体11为长度方向的一端封闭、另一端开口的筒体结构,所述内层腔体12为其长度方向的两端部均开口的筒体结构;所述外层腔体11的一端部设置有用于密封的金属板6,所述金属板6与反应室1焊接,使得所述外层腔体11的一端部为封闭结构;所述进气组件包括至少一个左进气管3及至少一个右进气管4,每一个左进气管3的进气口设置在反应室1长度方向的一端部,每一个右进气管4的进气口设置在反应室1长度方向的另一端部,所述左进气管3与右进气管4均沿所述反应室1的长度方向延伸,所述左进气管3和右进气管4上均设置有多个间隔设置的出气孔;所述反应室1与炉门配合的端部外套设有由金属材质制成的密封法兰,所述密封法兰的一端面用于与炉门抵触;所述密封法兰的一端面用于与炉门抵触,与炉门抵触的一端面为密封研磨表面;所述密封法兰5远离反应室的圆周外侧部上设置有沿圆周方向的凹槽51;所述进气组件还包括分别设置在反应室1长度方向两端部的气管接头9,每一个气管接头9的一端与左进气管3或右进气管4连接,另一端与外部气源13连接,所述密封法兰5的圆周外侧部设置有至少一个气管接头9;所述反应室1内设置有用于支撑所述左进气管3和右进气管4的支撑件10,所述支撑件10的一端与内层腔体12的内侧壁接触,另一端与左进气管3或右进气管4接触;所述左进气管3和右进气管4之间通过连接件进行连接。
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