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申请/专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要：本公开提供了工艺腔室及工艺设备，涉及半导体加工技术领域。工艺腔室，包括：腔室基体，腔室基体具有相对的第一端和第二端；顶座，顶座与第一端连接，顶座与腔室基体围成收容空间；顶座具有朝向工艺腔室的中轴线的内侧面，顶座的内侧面包括第一倾斜面，且沿远离腔室基体的方向，第一倾斜面逐渐靠近工艺腔室的中轴线；承载件，承载件位于收容空间中，用于承载工件；辐射加热器，辐射加热器与第一倾斜面连接，且辐射加热器沿顶座的周向均匀分布，使得各辐射加热器的辐射范围能够覆盖工件朝向第一端的上表面。本公开利于确保工件的温度均匀性。
主权项：1.一种工艺腔室，包括：腔室基体，所述腔室基体具有相对的第一端和第二端；顶座，所述顶座与所述第一端连接，所述顶座与所述腔室基体围成收容空间；所述顶座具有朝向所述工艺腔室的中轴线的内侧面，所述顶座的内侧面包括第一倾斜面，且沿远离所述腔室基体的方向，所述第一倾斜面逐渐靠近所述工艺腔室的中轴线；承载件，所述承载件位于所述收容空间中，用于承载工件；辐射加热器，所述辐射加热器与所述第一倾斜面连接，且所述辐射加热器沿所述顶座的周向均匀分布，使得所述辐射加热器的辐射范围能够覆盖工件朝向所述第一端的上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京屹唐半导体科技股份有限公司 工艺腔室及工艺设备
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