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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明提供了一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体结构包括基板和宽禁带半导体部，基板上设置有金属盘；宽禁带半导体部包括层叠布置的氮化镓层、势垒层和P型氮化镓层，P型氮化镓层上设置有栅极金属层、源极欧姆金属层和漏极欧姆金属层，源极欧姆金属层上方设有互联金属层和源极顶部金属层，漏极欧姆金属层上方设有互联金属层和漏极顶部金属层，源极顶部金属层、漏极顶部金属层和氮化镓层之间填充有隔离介质层，宽禁带半导体部设置于基板上方并通过栅极、源极和漏极顶部金属层与金属盘连接。能够解决现有技术中宽禁带半导体结构在进行辐照特性试验时辐照特性测试的效果差的问题。
主权项：1.一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构，其特征在于，包括：基板（1），所述基板（1）上间隔设置有金属盘（11）；宽禁带半导体部（2），包括层叠布置的氮化镓层（b）、势垒层（22）和P型氮化镓层（23），所述P型氮化镓层（23）位于所述氮化镓层（b）中部的有源区氮化镓层（21）上且上方设置有栅极金属层（231），所述栅极金属层（231）的两侧设有与所述P型氮化镓层（23）距离不等，且与所述有源区氮化镓层（21）连接的源极欧姆金属层（24）和漏极欧姆金属层（25），所述有源区氮化镓层（21）旁侧设置有栅极焊盘区（27），且通过金属引线（271）与所述栅极金属层（231）连接，所述栅极焊盘区（27）上方设有栅极互联金属层（272）和栅极顶部金属层（273），所述源极欧姆金属层（24）上方设有源极互联金属层（241）和源极顶部金属层（242），所述漏极欧姆金属层（25）上方设有漏极互联金属层（251）和漏极顶部金属层（252），所述源极顶部金属层（242）、所述漏极顶部金属层（252）、栅极顶部金属层（273）和所述氮化镓层（b）之间的间隙淀积有隔离介质层（26），所述宽禁带半导体部（2）设置于所述基板（1）上方并通过所述源极顶部金属层（242）和所述漏极顶部金属层（252）与所述金属盘（11）连接，以使所述氮化镓层（b）暴露于整个结构上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构及其制备方法
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