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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法。基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管包括由下至上依次设置的欧姆电极、N+型GaN衬底、N‑型GaN外延层，N‑型GaN外延层上方设置P型导电的结终端，P型导电的结终端贯穿有下端深入到N‑型GaN外延层的凹槽，凹槽内设置肖特基电极，肖特基电极与N‑型GaN外延层的顶部和P型导电的结终端的顶部相接，N‑型GaN外延层、P型导电的结终端和肖特基电极的上方覆盖有具有贯通的开孔的SiO2钝化层，P型导电的结终端的材质为P‑GaN、P‑InGaN或P‑AlGaN。采用P型导电的结终端提高二极管的击穿特性。
主权项：1.一种基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的欧姆电极、N+型GaN衬底、N-型GaN外延层，所述N-型GaN外延层上方设置P型导电的结终端，所述P型导电的结终端贯穿有下端深入到N-型GaN外延层的凹槽，所述凹槽内设置肖特基电极，所述肖特基电极与所述N-型GaN外延层的顶部和所述P型导电的结终端的顶部相接，所述N-型GaN外延层、所述P型导电的结终端和所述肖特基电极的上方覆盖有具有贯通的开孔的SiO2钝化层，所述P型导电的结终端的材质为P-InGaN或P-AlGaN；所述N+型GaN衬底的掺杂浓度为1×1017~1×1020cm-3，位错密度为1×105~1×109cm-3；所述N-型GaN外延层的厚度为1~100µm，掺杂浓度为1×1014~1×1017cm-3；所述P型导电的结终端的厚度为0.01~100µm，掺杂浓度为1×1016~1×1020cm-3。
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百度查询： 山东大学 基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法
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