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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要：本发明公开了一种碳化硅衬底的加工方法，包括以下步骤：步骤S1、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底置于高温氧化炉中高温氧化，使碳化硅衬底表面氧化形成二氧化硅薄膜；步骤S2、对表面氧化后的碳化硅衬底进行研磨加工。本发明具有原理简单、操作便捷、通用性强等优点，通过采用先氧化再研磨的方法，有效解决了碳化硅衬底加工难的问题，并提高了碳化硅衬底的研磨加工效率及延长了研磨片的使用寿命，有利于大规模商业化生产应用。
主权项：1.一种碳化硅衬底的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底置于高温氧化炉中高温氧化，使碳化硅衬底表面氧化形成二氧化硅薄膜；步骤S2、对表面氧化后的碳化硅衬底进行研磨加工。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种碳化硅衬底的加工方法
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