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制程对IR压降分布的影响预估方法、系统、终端及介质 

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申请/专利权人:珠海凌烟阁芯片科技有限公司

摘要:本发明提供的制程对IR压降分布的影响预估方法、系统、终端及介质,具体涉及芯片设计技术领域,方案包括:获取在目标制程下生产的待估IR压降分布图;利用训练好的目标深度学习模型对待估IR压降分布图进行预估,获得优化后的IR压降分布图,且利用预流片后得到的目标制程对应的真实IR压降分布图及预设的电路特性指标阈值对目标深度学习模型进行训练。该方案利用目标制程对应的真实IR压降分布图训练目标深度学习模型,既能提高训练效率,又使得训练好的目标深度学习模型能够精准且高效地预测集成电路的IR压降分布,对优化IR压降分布图,指导电路设计、优化或故障诊断,提高集成电路的成品率具有重要的生产应用价值。

主权项:1.制程对IR压降分布的影响预估方法,其特征在于,包括以下步骤:获取在目标制程下生产的待估IR压降分布图;利用训练好的目标深度学习模型对所述待估IR压降分布图进行预估,获得优化后的IR压降分布图,所述训练好的目标深度学习模型是利用预流片后得到的所述目标制程对应的真实IR压降分布图及预设的所述目标制程对应的电路特性指标阈值对目标深度学习模型进行训练得到。

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