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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请公开了沟槽MOSFET器件及其制备方法，MOSFET器件包括：依次贯穿源区和第一注入层并延伸至外延层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括承压层、栅极和栅氧层，承压层包括绝缘材料，栅极具有底面及相对的第一侧面和第二侧面，承压层中具有与底面接触的第一区域及与第一侧面接触的第二区域，栅氧层与第二侧面接触，第一区域在垂直于底面的方向上最小厚度为第一厚度，第二区域沿第一方向的最小厚度为第二厚度，栅氧层沿第一方向的最大厚度为第三厚度，第一厚度和或第二厚度大于第三厚度。该器件解决现有技术中沟槽MOSFET器件因沟槽底部栅氧质量差导致的器件提前击穿问题，以及因额外引入JFET电阻导致导通损耗增加的问题。
主权项：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上层叠设置的外延层、第一注入层和源区，所述沟槽MOSFET器件还包括：栅沟槽结构，所述栅沟槽结构依次贯穿所述源区和所述第一注入层并延伸至所述外延层中，所述栅沟槽结构包括承压层、栅极和栅氧层，所述承压层包括绝缘材料，所述栅极具有底面以及相对的第一侧面和第二侧面，所述承压层中具有与所述底面接触的第一区域以及与所述第一侧面接触的第二区域，所述栅氧层与所述第二侧面接触，所述第一区域在垂直于所述底面的方向上的最小厚度为第一厚度，第二区域沿第一方向的最小厚度为第二厚度，栅氧层沿所述第一方向的最大厚度为第三厚度，所述第一厚度和或所述第二厚度大于所述第三厚度，所述第一方向为垂直于所述第一侧面的方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 沟槽MOSFET器件及其制备方法
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