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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层依次包括第一多量子阱层、末阱层和末垒层，第一多量子阱层包括量子阱层和量子垒层，量子阱层、末阱层为InGaN量子阱层，量子垒层为GaN量子垒层；末垒层包括依次层叠的AlxGa1‑xN层、InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN层和GaN层；x为0.05~0.3，y为0.01~0.1，z为0.01~0.1，且zy；电子阻挡层为β‑Ta2O5层；P型GaN层包括依次层叠的第一P型GaN层、P型InαGa1‑αN层和第二P型GaN层，α为0.08~0.15。实施本发明，可提升发光二极管在各电流密度下的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述多量子阱层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一多量子阱层、末阱层和末垒层，所述第一多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替层叠形成的周期性结构，所述量子阱层、末阱层均为InGaN量子阱层，所述量子垒层为GaN量子垒层；所述末垒层包括依次层叠于末阱层上的AlxGa1-xN层、InyGa1-yN层、InzGa1-zN层和GaN层；其中，x的取值范围为0.05~0.3，y的取值范围为0.01~0.1，z的取值范围为0.01~0.1，且zy；所述电子阻挡层为β-Ta2O5层；所述P型GaN层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的第一P型GaN层、P型InαGa1-αN层和第二P型GaN层，其中，α的取值范围为0.08~0.15。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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