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申请/专利权人:佛山中研磁电科技股份有限公司
摘要:本发明公开了一种用于纳米晶磁芯的热处理方法,包括步骤:1在热处理装置内布置与纳米晶磁芯组体积相匹配的热处理通道,并有多个加热区;2将加热区内的温度加热至预设温度;3对纳米晶磁芯晶化过程中行经的热处理通道区域以及末端加热区施加磁场;4将纳米晶磁芯组送入热处理通道内,移动至磁场所覆盖的加热区内晶化;热处理通道将纳米晶磁芯组晶化反应所散发的热量积聚,令纳米晶磁芯组在进入末端加热区前完成晶化退火;5将完成晶化的纳米晶磁芯组移动至末端加热区进行降温处理;6将纳米晶磁芯组移出热处理通道,得到纳米晶磁芯。本发明的热处理时间短、热处理效率高,可在空气气氛下得到高性能纳米晶磁芯。
主权项:1.一种用于纳米晶磁芯的热处理方法,其特征在于,包括以下步骤:1在热处理装置内布置与纳米晶磁芯组体积相匹配的热处理通道,并在热处理通道内布置多个依次排列且能独立控温的加热区;2将加热区内的温度加热至预设温度,并使首端加热区与末端加热区之间的各加热区预设温度呈逐渐递增的趋势,且末端加热区的预设温度低于相邻加热区的预设温度;3对纳米晶磁芯晶化过程中行经的热处理通道区域以及末端加热区施加磁场;4将待处理的纳米晶磁芯组送入热处理通道内,保持持续移动以通过各加热区;调整纳米晶磁芯组在热处理通道内的移动速度,使纳米晶磁芯组移动至磁场所覆盖的加热区内晶化;热处理通道将纳米晶磁芯组晶化反应所散发的热量积聚,使纳米晶磁芯组自身温度提高至晶化温度之上,令纳米晶磁芯组在进入末端加热区前完成晶化退火;5将完成晶化的纳米晶磁芯组移动至末端加热区,在末端加热区内进行降温处理;6将末端加热区内的纳米晶磁芯组移出热处理通道,冷却至室温,得到热处理后的纳米晶磁芯。
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