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申请/专利权人：北京航空航天大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种柔性氧化锌薄膜压电元件及制备方法，包括柔性衬底、下电极薄膜、氧化锌薄膜、上电极薄膜、柔性绝缘层和连接导线；柔性衬底上设有下电极薄膜，下电极薄膜上设有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜上设有上电极薄膜，上电极薄膜上设有柔性绝缘层，下电极薄膜和上电极薄膜上连接导线，连接导线与可穿戴设备的控制系统连接；氧化锌薄膜的组分包括氧化锌主组分以及掺杂组分；掺杂组分包括P型掺杂源、N型掺杂源和加工带入掺杂源中的一组或多组，掺杂组分中的所有元素均以氧化物的形式掺杂到氧化锌薄膜中。本发明实现了对薄膜厚度、成分和微观结构的精确控制。
主权项：1.一种柔性氧化锌薄膜压电元件，其特征在于，包括柔性衬底、下电极薄膜、氧化锌薄膜、上电极薄膜、柔性绝缘层和连接导线；所述柔性衬底上设有下电极薄膜，下电极薄膜上设有氧化锌薄膜，氧化锌薄膜上设有上电极薄膜，上电极薄膜上设有柔性绝缘层，下电极薄膜和上电极薄膜上连接导线，连接导线与可穿戴设备的控制系统连接；所述下电极薄膜和上电极薄膜具有导电性，厚度为50~400nm，所述氧化锌薄膜厚度为200-5000nm，氧化锌薄膜的组分包括氧化锌主组分以及掺杂组分；氧化锌主组分的含量不低于60mol%；掺杂组分包括P型掺杂源、N型掺杂源和加工带入掺杂源中的一组或多组，所述P型掺杂源包括含有Mg、Fe、V、Cr中一种元素或多种元素组合的掺杂成分；所述N型掺杂源包括含有Al、In、Ga中一种元素或多种元素组合的掺杂成分；所述加工带入掺杂源为ZrO2；掺杂组分中的所有元素均以氧化物的形式掺杂到氧化锌薄膜中,所述氧化锌薄膜采用磁控溅射方法得到，根据金属原子的束缚能对各组分进行分组并分别进行靶材制备，并对每一个靶材采用独立的靶枪进行磁控溅射,金属原子的束缚能是指磁控溅射过程中使靶材中的金属原子脱离靶材并成为离位原子态所需的能量；各组分在氧化锌薄膜中各处的实际含量与其预设含量偏差不高于第一阈值，各组分在氧化锌薄膜中各处的实际含量之间的偏差不高于第二阈值，第一阈值为10%，第二阈值为15%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京航空航天大学 一种柔性氧化锌薄膜压电元件及制备方法
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