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申请/专利权人：信越化学工业株式会社
摘要：本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置特别是纵向型的元件的结晶性氧化物半导体膜的方法。
主权项：1.一种氧化镓膜的制造方法，其特征在于，通过对依次形成有表面具有单晶结构的衬底、通过雾化化学气相沉积法形成在该衬底上的氧化铁III层及氧化镓层的基体自所述氧化镓层侧照射光，在所述氧化铁III层处将所述氧化镓层与衬底分离，通过该氧化镓层的分离，制造氧化镓膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越化学工业株式会社 结晶性氧化物半导体膜及氧化镓膜的制造方法、以及纵向型半导体装置的制造方法
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