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等离子体处理设备的控制方法、控制装置及处理设备 

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申请/专利权人:深圳市恒运昌真空技术股份有限公司

摘要:本申请公开了一种等离子体处理设备的控制方法、控制装置及处理设备,涉及等离子体处理技术领域,公开了等离子体处理设备的控制方法,所述等离子体处理设备包括电源电路和等离子体发生器,所述电源电路用于为所述等离子体发生器供电,所述的控制方法包括:获取反应腔室中多个位置的第一等离子体浓度;根据第一等离子体浓度和预设等离子体浓度,调节对应的电源电路的输出功率。本申请通过获取反应腔室中多个位置的第一等离子体浓度,并将第一等离子体浓度和预设等离子体浓度进行比对,最后调节对应的电源电路的输出功率,从而实现在等离子体处理过程中,精准调控等离子体能量,能够自适应调整,从而使等离子体的表面处理过程更加稳定可靠。

主权项:1.一种等离子体处理设备的控制方法,其特征在于,所述等离子体处理包括电源电路和等离子体发生器,所述电源电路用于为所述等离子体发生器供电,所述的控制方法包括:获取反应腔室中多个位置的第一等离子体浓度;根据第一等离子体浓度和预设等离子体浓度,调节对应的电源电路的输出功率;所述电源电路包括偏压电路和电极电路;所述获取反应腔室中多个位置的第一等离子体浓度的步骤,包括:基于光谱仪或质谱仪,测量晶圆表面的等离子体浓度,以及基于离子探针,获取反应腔室的等离子体浓度;所述根据第一等离子体浓度和预设等离子体浓度,调节对应的电源电路的输出功率的步骤,包括:根据晶圆表面的等离子体浓度和预设等离子体浓度,判断晶圆表面是否均匀分布有等离子体;若晶圆表面的等离子体浓度的分布密度超出预设阈值,调整晶圆表面对应位置的偏压电路的大小;根据反应腔室的等离子体浓度和预设等离子体浓度,调节电极电路的放电功率,以维持反应腔室内的等离子体浓度在预设范围内;所述控制方法还包括:获取反应腔室的温度、反应腔室的压力以及晶圆表面温度;根据反应腔室的温度、反应腔室的压力以及晶圆表面温度,确定实际温压偏差;根据实际温压偏差和预设电源温压偏差,确定电源偏差影响系数;根据电源偏差影响系数,调节对应的电源电路的输出功率。

全文数据:

权利要求:

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